由于石堊模具的結構比較特殊。所以日常的使用過程中,這些特殊的性能也應該被我們所了解。1. 耐高溫型:石墨棒廠家的小編提醒您石墨的熔點為3850+50C ,沸點在4250C，即使在超高溫電弧灼燒,熱膨脹系數也很小,石墨強度隨溫度提高而加強，在2000C
查看詳情
先進的熔爐技術提供了獨特的高溫真空凈化工藝，可以去除石墨制造工藝中殘留的金屬和氣體。通過去除殘留的痕量金屬和摻雜劑，您的石墨零件將使用壽命更長，更可靠，性能更穩(wěn)定。使用我們專有的高溫，低壓工藝，我們從MOCVD，核工業(yè)和航天工業(yè)的固體石墨零件
查看詳情碳化硅的大部分難點集中在碳化硅晶圓的生長和襯底的制作上，但是為了做器件也有一些難點，主要包括：1、外延工藝效率低：碳化硅的氣相外延一般在1500℃以上的高溫下進行。由于升華的問題，溫度不能太高，一般不超過1800℃，所以生長速度低。液相外延具有較低的溫度和較高的速率，但產量較低。2、歐姆接觸的制作：歐姆接觸是器件制造中...
查看詳情2022/05
碳化硅產業(yè)鏈分為三大環(huán)節(jié)：上游碳化硅晶圓和外延制造中間功率器件（包括經典IC設計制造封裝三個小環(huán)節(jié)）下游工控、新能源汽車、光伏風電、等應用。目前上游晶圓基本被美國CREE、II-VI等美國廠商壟斷；在國內，碳化硅晶圓制造商山東天岳和天科和大已經能夠供應2英寸至6英寸的單晶基板，其收入均達到一定規(guī)模（今年將超過2億元人民...
查看詳情2022/05
碳化硅比硅更能滿足高溫、高壓和高頻的要求，下游應用范圍廣泛。碳化硅是第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移率高等特點。碳化硅是第三代半導體材料的典型代表。與硅材料等前兩代半導體材料相比，其禁帶寬度更大，擊穿電場強度、飽和電子漂移率、熱導率和耐輻射性等關鍵參數具有顯著優(yōu)勢。基于這些優(yōu)良特...
查看詳情2022/05
1、碳化硅碳化硅：產業(yè)化黃金時代已經到來；基板是產業(yè)鏈的核心1.1。 SiC特性：第三代半導體之星，在高壓大功率應用場景性能優(yōu)越半導體材料是用于制造半導體器件和集成電路的電子材料。核心分為以下三代：1）第一代元素半導體材料：硅（Si）和鍺（Ge）；半導體最常用的材料，起源于 1950 年代，為微電子工業(yè)奠定了基礎。2）...
查看詳情2022/05