1、碳化硅碳化硅：產(chǎn)業(yè)化黃金時(shí)代已經(jīng)到來(lái)；基板是產(chǎn)業(yè)鏈的核心

1.1。 SiC特性：第三代半導(dǎo)體之星，在高壓大功率應(yīng)用場(chǎng)景性能優(yōu)越

半導(dǎo)體材料是用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。核心分為以下三代：

1）第一代元素半導(dǎo)體材料：硅（Si）和鍺（Ge）；半導(dǎo)體最常用的材料，起源于 1950 年代，為微電子工業(yè)奠定了基礎(chǔ)。

2）第二代化合物半導(dǎo)體材料：砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；它是4G時(shí)代大多數(shù)通信設(shè)備的材料，起源于1990年代，奠定了信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

3）第三代寬禁帶材料：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。近10年來(lái)，世界各國(guó)先后布局和工業(yè)化進(jìn)程迅速崛起。

其中，碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的核心。核心用于功率+射頻器件，適用于600V以上的高壓場(chǎng)景，包括光伏、風(fēng)電、軌道交通、新能源汽車、充電樁等電力電子

SiC碳化硅是制造高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳和硅元素組成的化合物半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅材料相比