碳化硅的大部分難點集中在碳化硅晶圓的生長和襯底的制作上，但是為了做器件也有一些難點，主要包括：

1、外延工藝效率低：碳化硅的氣相外延一般在1500℃以上的高溫下進行。由于升華的問題，溫度不能太高，一般不超過1800℃，所以生長速度低。液相外延具有較低的溫度和較高的速率，但產(chǎn)量較低。

2、歐姆接觸的制作：歐姆接觸是器件制造中最重要的工藝之一。碳化硅在實踐中仍難以形成良好的歐姆接觸；

3、支撐材料的耐高溫性：碳化硅芯片本身耐高溫，但支撐材料可能無法承受600℃以上的溫度。因此，整體工作溫度的提高需要配套材料的不斷創(chuàng)新。

碳化硅的優(yōu)良性能已被較早地認可。之所以近幾年有很好的進展，主要是因為碳化硅晶圓和碳化硅器件與傳統(tǒng)功率器件相比存在一些困難，器件產(chǎn)量高。難度和成本高加上碳化硅晶圓制造的高難度（后面會提到），兩者相互循環(huán)，在一定程度上制約了過去幾年碳化硅應用的推廣速度。我們認為，隨著產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成熟，SIC在爆發(fā)前夕，拐點正在逼近。