由于石堊模具的結(jié)構(gòu)比較特殊。所以日常的使用過程中,這些特殊的性能也應(yīng)該被我們所了解。1. 耐高溫型:石墨棒廠家的小編提醒您石墨的熔點(diǎn)為3850+50C ,沸點(diǎn)在4250C，即使在超高溫電弧灼燒,熱膨脹系數(shù)也很小,石墨強(qiáng)度隨溫度提高而加強(qiáng)，在2000C
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我們擁有全套先進(jìn)的生產(chǎn)和檢驗(yàn)設(shè)備。我們可以提供混合，軋制，研磨和壓制石墨化服務(wù)。我們的全自動(dòng)檢查系
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先進(jìn)的熔爐技術(shù)提供了獨(dú)特的高溫真空凈化工藝，可以去除石墨制造工藝中殘留的金屬和氣體。通過去除殘留的痕量金屬和摻雜劑，您的石墨零件將使用壽命更長，更可靠，性能更穩(wěn)定。使用我們專有的高溫，低壓工藝，我們從MOCVD，核工業(yè)和航天工業(yè)的固體石墨零件
查看詳情碳化硅的大部分難點(diǎn)集中在碳化硅晶圓的生長和襯底的制作上，但是為了做器件也有一些難點(diǎn)，主要包括：1、外延工藝效率低：碳化硅的氣相外延一般在1500℃以上的高溫下進(jìn)行。由于升華的問題，溫度不能太高，一般不超過1800℃，所以生長速度低。液相外延具有較低的溫度和較高的速率，但產(chǎn)量較低。2、歐姆接觸的制作：歐姆接觸是器件制造中...
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碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為三大環(huán)節(jié)：上游碳化硅晶圓和外延制造中間功率器件（包括經(jīng)典IC設(shè)計(jì)制造封裝三個(gè)小環(huán)節(jié)）下游工控、新能源汽車、光伏風(fēng)電、等應(yīng)用。目前上游晶圓基本被美國CREE、II-VI等美國廠商壟斷；在國內(nèi)，碳化硅晶圓制造商山東天岳和天科和大已經(jīng)能夠供應(yīng)2英寸至6英寸的單晶基板，其收入均達(dá)到一定規(guī)模（今年將超過2億元人民...
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碳化硅比硅更能滿足高溫、高壓和高頻的要求，下游應(yīng)用范圍廣泛。碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強(qiáng)高、電子飽和漂移率高等特點(diǎn)。碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。與硅材料等前兩代半導(dǎo)體材料相比，其禁帶寬度更大，擊穿電場強(qiáng)度、飽和電子漂移率、熱導(dǎo)率和耐輻射性等關(guān)鍵參數(shù)具有顯著優(yōu)勢?；谶@些優(yōu)良特...
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1、碳化硅碳化硅：產(chǎn)業(yè)化黃金時(shí)代已經(jīng)到來；基板是產(chǎn)業(yè)鏈的核心1.1。 SiC特性：第三代半導(dǎo)體之星，在高壓大功率應(yīng)用場景性能優(yōu)越半導(dǎo)體材料是用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。核心分為以下三代：1）第一代元素半導(dǎo)體材料：硅（Si）和鍺（Ge）；半導(dǎo)體最常用的材料，起源于 1950 年代，為微電子工業(yè)奠定了基礎(chǔ)。2）...
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