由于石堊模具的結(jié)構(gòu)比較特殊。所以日常的使用過(guò)程中,這些特殊的性能也應(yīng)該被我們所了解。1. 耐高溫型:石墨棒廠家的小編提醒您石墨的熔點(diǎn)為3850+50C ,沸點(diǎn)在4250C，即使在超高溫電弧灼燒,熱膨脹系數(shù)也很小,石墨強(qiáng)度隨溫度提高而加強(qiáng)，在2000C
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我們擁有全套先進(jìn)的生產(chǎn)和檢驗(yàn)設(shè)備。我們可以提供混合，軋制，研磨和壓制石墨化服務(wù)。我們的全自動(dòng)檢查系
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先進(jìn)的熔爐技術(shù)提供了獨(dú)特的高溫真空凈化工藝，可以去除石墨制造工藝中殘留的金屬和氣體。通過(guò)去除殘留的痕量金屬和摻雜劑，您的石墨零件將使用壽命更長(zhǎng)，更可靠，性能更穩(wěn)定。使用我們專有的高溫，低壓工藝，我們從MOCVD，核工業(yè)和航天工業(yè)的固體石墨零件
查看詳情碳化硅MOS等碳化硅功率器件，與Si基IGBT相比，可以有更低的導(dǎo)通電阻，這體現(xiàn)在產(chǎn)品上，即尺寸減小，從而減小體積，開(kāi)關(guān)速度快.與傳統(tǒng)功率器件相比，大大降低。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，電池重量重、價(jià)值高。如果在使用碳化硅器件時(shí)能夠降低功耗和體積，電池的排列會(huì)更加靈活；同時(shí)，碳化硅在高壓直流充電樁中的應(yīng)用將大大縮短充電時(shí)間，帶來(lái)巨...
查看詳情2022/05
在價(jià)格方面，目前國(guó)際上SiC的價(jià)格是相應(yīng)硅基產(chǎn)品的5~6倍，并且以每年10%的速度下降。預(yù)計(jì)未來(lái)2-3年隨著市場(chǎng)供應(yīng)量的增加，在價(jià)格有望達(dá)到相應(yīng)硅基產(chǎn)品的2-3倍時(shí)，系統(tǒng)成本降低和性能提升帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)將推動(dòng)SiC逐步取代硅基IGBT等產(chǎn)品。據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，“研究人員估計(jì)，根據(jù)電動(dòng)汽車的類型，碳化硅相關(guān)技術(shù)可以幫助汽...
查看詳情2022/04
與IGBT相比，SiC MOSFET同時(shí)具有耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)點(diǎn)。 1）碳化硅的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的十倍以上，這使得碳化硅器件的耐高壓性能明顯高于同等硅器件。 2）碳化硅的禁帶寬度是硅的三倍，這使得SiC MOSFET的漏電流比硅基IGBT大大降低，降低了導(dǎo)通損耗。同時(shí)，SiC MOSFET是單極器件，沒(méi)有尾電流...
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碳化硅的核心技術(shù)參數(shù)包括直徑、微管密度、面積、電阻率范圍、總厚度變化、曲率、翹曲和表面粗糙度。上述技術(shù)參數(shù)的具體含義如下SiC 晶體中最重要的晶體缺陷之一是微管，這是導(dǎo)致產(chǎn)品良率低下和順應(yīng) SiC 成本高的另一個(gè)因素。微管是延伸并貫穿整個(gè)鑄錠的空心管。微管的存在對(duì)設(shè)備的應(yīng)用是致命的?；逯形⒐艿拿芏葘⒅苯記Q定外延層的結(jié)...
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