碳化硅的核心技術(shù)參數(shù)包括直徑、微管密度、面積、電阻率范圍、總厚度變化、曲率、翹曲和表面粗糙度。上述技術(shù)參數(shù)的具體含義如下

SiC 晶體中最重要的晶體缺陷之一是微管，這是導(dǎo)致產(chǎn)品良率低下和順應(yīng) SiC 成本高的另一個(gè)因素。微管是延伸并貫穿整個(gè)鑄錠的空心管。微管的存在對(duì)設(shè)備的應(yīng)用是致命的?；逯形⒐艿拿芏葘⒅苯記Q定外延層的結(jié)晶質(zhì)量。器件區(qū)微管的存在會(huì)導(dǎo)致器件漏電流過大甚至器件擊穿，導(dǎo)致器件故障。因此，降低微管密度是碳化硅工業(yè)化應(yīng)用的重要技術(shù)方向。隨著微管缺陷改善技術(shù)的不斷進(jìn)步，全球領(lǐng)先的碳化硅企業(yè)可以將微管密度穩(wěn)定控制在1cm-2以下。這只是對(duì)其中一項(xiàng)指標(biāo)的判斷。可想而知，在上述諸多核心指標(biāo)的納米級(jí)范圍內(nèi)，制造高質(zhì)量基板的成本是難以控制的。

綜合以上信息可以看出，在碳化硅制備過程中，一次性高價(jià)耗材占比過大，制備工藝難以實(shí)現(xiàn)，污染治理成本高，且晶體微管的密度很高。 .由于以上幾點(diǎn)都具有較高的技術(shù)和資金壁壘，突破需要巨額的研發(fā)投入和長期的人才培養(yǎng)，所以對(duì)于碳化硅的具體市場(chǎng)滲透，降低成本、擴(kuò)大規(guī)模、提高市場(chǎng)滲透率還有很長的路要走去！