碳化硅MOS等碳化硅功率器件，與Si基IGBT相比，可以有更低的導(dǎo)通電阻，這體現(xiàn)在產(chǎn)品上，即尺寸減小，從而減小體積，開關(guān)速度快.與傳統(tǒng)功率器件相比，大大降低。

在電動汽車領(lǐng)域，電池重量重、價值高。如果在使用碳化硅器件時能夠降低功耗和體積，電池的排列會更加靈活；同時，碳化硅在高壓直流充電樁中的應(yīng)用將大大縮短充電時間，帶來巨大的社會效益。

SiC MOS 與 Si 功率器件的比較

根據(jù)Cree提供的計算：純電動汽車BEV逆變器中的功率元件改為碳化硅后，整車功耗可降低5%-10%；這樣可以提高電池壽命或降低動力電池的成本。

綜上所述，碳化硅器件的各項優(yōu)勢將帶動電動汽車?yán)m(xù)航的提升：

1）功率轉(zhuǎn)換效率高：碳化硅是寬能隙材料，其擊穿場強比硅基半導(dǎo)體材料大，更適合大功率應(yīng)用場景；

2）功率利用效率高：碳化硅是寬能隙材料，其擊穿場強大于硅基半導(dǎo)體材料，更適合大功率應(yīng)用場景；

3）無效熱耗低：開關(guān)頻率高，速度快，降低了無效熱耗，簡化了電路和散熱系統(tǒng)。

2019年，國際功率半導(dǎo)體巨頭不斷推出基于碳化硅材料的新型功率器件，推出的多款碳化硅SBD和MOSFET均符合車規(guī)級（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)。這些產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車或光伏等功率器件需求場景，將顯著降低功耗，提高轉(zhuǎn)換效率。