1、碳化硅器件價(jià)格較高

由于目前碳化硅芯片的工藝還沒(méi)有碳化硅成熟，主要是4英寸晶圓，材料利用率不高，碳化硅芯片的晶圓已經(jīng)發(fā)展到8英寸甚至12英寸。另一方面，市場(chǎng)對(duì)碳化硅芯片的需求還沒(méi)有增加，這也導(dǎo)致碳化硅芯片的成本相對(duì)較高。

2、碳化硅器件封裝技術(shù)發(fā)展滯后

目前，全球多家主流功率器件供應(yīng)商都對(duì)碳化硅芯片進(jìn)行了研發(fā)，但相比之下，碳化硅器件封裝技術(shù)的發(fā)展相對(duì)滯后。與芯片相比，碳化硅芯片具有更高的耐溫性，其工作溫度甚至可以超過(guò)200度。然而，目前碳化硅組件所采用的密封技術(shù)仍沿襲組件的設(shè)計(jì)，其可靠性和壽命無(wú)法滿足200度工作要求。碳化硅芯片的應(yīng)用條件有限。

3、驅(qū)動(dòng)保護(hù)技術(shù)

與碳化硅芯片相比，碳化硅芯片的短路承受能力大大降低。因此，為了防止碳化硅器件在工作過(guò)程中發(fā)生短路故障，驅(qū)動(dòng)電路需要具有較低的響應(yīng)時(shí)間。保護(hù)技術(shù)提出了巨大的挑戰(zhàn)。