目前，碳化硅的拋光方法主要有：機(jī)械拋光、磁流變拋光、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、電化學(xué)拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學(xué)拋光（TCP ），也稱為無磨料拋光）和等離子輔助拋光（PAP）。

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段，也是將單晶硅表面加工到原子級光滑度的最有效的工藝方法。

CMP的加工效率主要取決于工件表面的化學(xué)反應(yīng)速率。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響，結(jié)果表明轉(zhuǎn)速和拋光壓力影響很大，而拋光液的溫度和pH值影響不大。為了提高材料的拋光速度，應(yīng)盡可能提高轉(zhuǎn)速。雖然增加拋光壓力也可以提高去除率，但很容易損壞拋光墊。

目前的碳化硅拋光方法存在材料去除率低、成本高的問題，而磨料研磨拋光、催化輔助加工等加工方法由于條件惡劣、設(shè)備復(fù)雜，目前仍在實驗室范圍內(nèi)。操作實現(xiàn)量產(chǎn)的可能性不大。

1905年首次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅，現(xiàn)在主要來源于人工合成。碳化硅用途廣泛，可用于單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程加工材料。