從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅（SiC）類器件的制造，主要包含 “襯底 - 外延 - 器件制造” 三個(gè)步驟。

而在各環(huán)節(jié)的價(jià)值量比較中，SiC 產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯 “頭重腳輕” 的特征，其中襯底和外延有將近 70% 的價(jià)值量占比。與硅基器件相比，SiC 類器件的上游材料制造環(huán)節(jié)具有較高的技術(shù)壁壘，這也使得上游材料更大的影響了最終產(chǎn)品的成本項(xiàng)。由此可以看出，襯底及外延環(huán)節(jié)的降本將是 SiC 產(chǎn)業(yè)的主要發(fā)展方向。

1）SiC 襯底：襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)中最重要的環(huán)節(jié)，價(jià)值量占比接近 50%。沒有 SiC 襯底，就造不出 SiC 器件，所以襯底是最基本的材料基礎(chǔ)。

SiC 襯底是將原材料高純硅粉/碳粉，通過原料合成、晶體生長、晶錠切割、晶圓切割、研磨拋光等環(huán)節(jié)進(jìn)行制備。在襯底生產(chǎn)中，最主要的難點(diǎn)在于超高溫環(huán)境、長晶時(shí)間久、加工工藝高。

由于襯底是 SiC 器件最大的成本項(xiàng)來源，襯底端價(jià)格的下降也是整個(gè)行業(yè)最主要的關(guān)注點(diǎn)。參考產(chǎn)業(yè)鏈信息，目前國內(nèi) SiC 襯底主流規(guī)格分別為 4 英寸和 6 英寸，襯底價(jià)格呈現(xiàn)每年下降 10% 左右的幅度。相對(duì)來看，4 英寸襯底的良率達(dá)到 70% 以上，而 6 英寸襯底良率還不到 50%。隨著產(chǎn)品良率的逐年提升，SiC 襯底的價(jià)格有望進(jìn)一步下探。

而對(duì)于未來 SiC 襯底價(jià)格能否下降的主要因素在于：①工藝和設(shè)備的改進(jìn)，提升長晶效率；②減少損耗，提升產(chǎn)品良率；③從襯底到最終產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換率提升；④增加尺寸提升晶圓利用率。

2）SiC 外延：外延環(huán)節(jié)，在 SiC 制備過程中的價(jià)值量占比接近 1/4，是從材料到 SiC 器件制備過程中不可缺少的環(huán)節(jié)。

外延層的制備，主要是在 SiC 襯底基礎(chǔ)上生長出一層單晶薄膜，再用以制造出所需的電力電子器件。目前外延層的制造，最主流方法是化學(xué)氣相沉積法（CVD 法），利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間化學(xué)反應(yīng)的途徑生成固態(tài)薄膜的技術(shù)。