碳化硅襯底是新開發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料。碳化硅襯底主要應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。 4H-SiC禁帶寬度為3.2（eV），飽和電子漂移率為2.00（107 cm/s），擊穿電場強度為3.5（MV/cm），熱導(dǎo)率為4.00（W· cm-1·K-1 )，具有硅基數(shù)倍的優(yōu)勢。禁帶是指能帶結(jié)構(gòu)中能態(tài)能量密度為零的能帶范圍，常用來表示價帶和導(dǎo)帶之間的能帶范圍；飽和電子漂移率是指電子漂移率達(dá)到一定范圍，不再跟隨電場。由于動作而繼續(xù)增加的極限值；電子漂移率是指電子在電場作用下運動的平均速度；熱導(dǎo)率是指材料熱導(dǎo)率的量度，又稱熱導(dǎo)率；擊穿電場強度是指電介質(zhì)在足夠強的電場作用下。它將失去其介電性能而成為導(dǎo)體，這稱為介電擊穿，相應(yīng)的電場強度稱為擊穿電場強度。