碳化硅半導(dǎo)體是新開發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料。顯著降低產(chǎn)品功耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率，縮小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域，以及以新能源汽車和“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，在民用和軍用領(lǐng)域都有明確而可觀的市場前景。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體列入重點支持領(lǐng)域。隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導(dǎo)體將應(yīng)用于5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域扮演一個重要角色。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場和國家重大需求的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

碳化硅在制造射頻器件、功率器件等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。然而，在射頻器件和功率器件領(lǐng)域，碳化硅襯底的市場應(yīng)用瓶頸在于其高昂的生產(chǎn)成本。影響碳化硅襯底成本的制約因素是生產(chǎn)速度慢、產(chǎn)品良率低，主要是由于：目前主流的商用PVT方法晶體生長緩慢，缺陷控制困難。與成熟的硅片制造工藝相比，碳化硅襯底在短期內(nèi)仍然相對昂貴。例如，目前碳化硅功率器件的價格仍是硅基器件的數(shù)倍，下游應(yīng)用仍需平衡碳化硅器件價格高與整體成本降低之間的關(guān)系，因為碳化硅器件性能優(yōu)越。碳化硅器件。短期來看，碳化硅器件的滲透率在一定程度上是有限的，其高昂的成本限制了其在中低端市場的應(yīng)用場景和市場滲透率。