碳化硅材料常用于陶瓷球軸承、閥門、半導(dǎo)體材料、陀螺儀、儀器、儀表、航空航天等領(lǐng)域，已成為許多行業(yè)不可替代的材料。

碳化硅是一種天然同質(zhì)多晶型物。 Si 和C雙原子層的堆疊順序的差異導(dǎo)致具有超過200（現(xiàn)在已知的）同質(zhì)多晶型的不同晶體結(jié)構(gòu)。因此，碳化硅非常適合用作下一代發(fā)光二極管(LED) 基板材料和大功率電力電子材料。

碳化硅的硬度僅次于金剛石，可作為磨石的磨料。對(duì)于處理SiC 裝置很重要。但是，SiC材料不僅具有硬度高的特點(diǎn)，而且由于其脆性大、斷裂韌性低，在磨削過程中容易引起材料脆性斷裂，在磨削材料表面留下表面斷裂層。影響加工精度。因此，深入研究碳化硅磨削機(jī)理和亞表面損傷對(duì)提高碳化硅磨削效率表面質(zhì)量非常重要。

碳化硅材料是很硬很脆的材料，所以需要特殊的磨削液，碳化硅磨削的主要技術(shù)難點(diǎn)在于對(duì)高硬度材料的薄層厚度進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量和控制造成的損傷、微裂紋和殘留。