石墨坩堝通常用于生產(chǎn)高純度金屬和半導體材料，并且必須使用具有高碳含量的高純度石墨來實現(xiàn)金屬和半導體材料的一定純度并減少雜質(zhì)的量。低雜質(zhì)。

　　生產(chǎn)高純度石墨時，必須嚴格控制原料選擇中的雜質(zhì)含量，選擇灰分低的原料，防止高純度石墨加工中雜質(zhì)的增加。在高溫石墨化下，許多雜質(zhì)元素的氧化物繼續(xù)分解和蒸發(fā)，溫度越高，雜質(zhì)越多，產(chǎn)生的石墨就越高。在一般石墨化產(chǎn)品的生產(chǎn)中，芯部的最高溫度約為2300，殘留雜質(zhì)含量約為0.1-0.3。當爐芯溫度升高到2500-3000C時，殘留雜質(zhì)含量將大大降低。在生產(chǎn)高純度石墨產(chǎn)品時，通常使用低灰分石油焦作為電阻材料和絕緣材料。

　　即使將石墨化溫度簡單地提高到2800C的高溫，仍然很難去除一些雜質(zhì)。一些公司使用諸如減少核芯來提取高純度石墨，提高爐溫以增加電流密度，降低石墨爐的輸出和增加功耗等方法，因此當石墨爐的溫度達到1800時凈化氣體（例如氯氣，氟利昂等）中的石墨中會產(chǎn)生更多的頑固雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會產(chǎn)生易于分解和蒸發(fā)的氯化物和氟化物。這是為了防止汽化的雜質(zhì)反應。它沿爐子的方向擴散，并通入少量氮，以從石墨孔中排出剩余的精制氣體，從而有利于爐子的運行。