硅外延的分類

1 、導(dǎo)電類型

產(chǎn)品根據(jù)導(dǎo)電類型分做N型和P型。

2 、規(guī)格

產(chǎn)品根據(jù)直徑尺寸分做76.2mm、100mm、125mm和150mm

3 、外延片晶向

產(chǎn)品根據(jù)晶向分為<111>、<100>等

硅外延的應(yīng)用

從50年代末以來，硅外延片成功地應(yīng)用來制造高頻大功率晶體管，同時也展示出其巨大的優(yōu)越性之后，它的用途就變得越來越廣。在雙極型器件中，無論是晶體管、功率管還是線性集成電路和數(shù)字集成電路的制造，都需要使用硅外延片。對MOS器件來說，雖然是比較晚使用硅外延片，但因為在解決CMOS電路中閂鎖(Latch-up)效應(yīng)，硅外延片獲得了廣泛的應(yīng)用。目前BiCMOS電路也都選用硅外延片來進行制造。一部分電荷耦合器件(CCD)已采用外延片制作。

為了滿足各種半導(dǎo)體器件的需求，相應(yīng)地也生成了各樣的硅外延技術(shù)。除了低溫外延、減壓外延之外，還有在硅片的特定部位沉積硅外延層的選擇性外延。它是在硅襯底上先沉積一層二氧化硅，經(jīng)光刻在所需部位開“外延窗口”，之后再進行外延生長。為滿足某些半導(dǎo)體器件要求有很高電阻率的外延層，而生成的高阻外延技術(shù)等。