硅外延片在硅單晶襯底上朝著它原來的晶向再生成一層硅單晶薄膜的半導體硅材料。嚴格來說就是在N型硅拋光片襯底上生成的N型外延層（N/N＋）和在P型硅拋光片襯底上生成的P型外延層（P/P＋）的同質硅外延片。產(chǎn)品主要是用來制作半導體器件。

硅外延已發(fā)展變作種類很多的技術，由外延層在器件制造中的作用來看，能夠分做正外延和反外延。器件直接制作在外延層上的稱之為正外延；器件制作在348單晶襯底上，外延層當做基底的，稱之為反外延。有化學構成成分來看，能夠分做是同質外延和異質外延。外延層和襯底屬同一種物質，稱同質外延，外延層和襯底不屬同種物質，稱異質外延。制備硅外延片的方法具有氣相外延、液相外延、分子束外延等。其中用化學氣相淀積(CVD)當做基礎的氣相外延是目前生產(chǎn)硅外延的一個主流。常用的源主要有SiCl4 、SiHCl3、SiH2Cl2和SiH44種。當前主要以SiCl4源應用最廣泛。針對亞微米級外延，由低溫來看，硅烷似乎比起其他源好，但硅烷在極少量空氣存在下會在硅外延層中生成SiO2微粒，SiH2Cl2用在優(yōu)質外延和薄層外延。