在太陽能應(yīng)用中，硅器件的傳統(tǒng)逆變器的成本大概占據(jù)系統(tǒng)的10%，但這是造成系統(tǒng)能量損壞的主要因素之一。把碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET和碳化硅SBD結(jié)合的功率模塊的光伏逆變器能夠把轉(zhuǎn)換效率由96%提升到99%以上，能源消耗具備50%以上的降幅，同時設(shè)備使用壽命可以提高50%，起到減少系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長設(shè)備壽命和降低制造成本的作用。高效率、高功率密度，高可靠性和低成本就是太陽能逆變器的未來發(fā)展趨勢。在組串式和集中式光伏逆變器當(dāng)中，碳化硅產(chǎn)品有可能會逐漸代替硅基器件。

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈依次是上游襯底，中游外延晶片制造，下游器件制造。由當(dāng)前整個碳化硅產(chǎn)業(yè)來看，美國、日本和歐洲就是產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的三老巨頭。其中，美國全球獨大，占據(jù)世界碳化硅產(chǎn)量的70%到80%。CREE在碳化硅晶片市場中的市場份額高達(dá)60%；歐洲具備完整的碳化硅襯底、外延、器件和應(yīng)用程序的產(chǎn)業(yè)鏈，同時是在全球電力電子市場中具備比較強(qiáng)的影響力。日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對領(lǐng)導(dǎo)者。由上世紀(jì)八十年代以來，美國、日本和歐洲等發(fā)達(dá)國家一直都把寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)放置在特別重要的戰(zhàn)略地位，以維持在航空航天、軍事和技術(shù)上的領(lǐng)先地位。這些國家和地區(qū)在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，已逐漸走到世界前端了。