電力電子器件的發(fā)展歷史大概能夠分作三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅是屬于第三代半導體材料，和普通的硅材料比起來，碳化硅的優(yōu)勢特別突出，它不但克服了普通硅材料的部分缺點，在功耗上也有特別好的表現(xiàn)，所以變成了電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為這樣，現(xiàn)在已經(jīng)有愈來愈多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。

1. 耐壓高：臨界擊穿電場高達2MV/cm(4H-SiC)，所以具備更高的耐壓能力(10倍于Si)。

2. 散熱容易：因為SiC材料的熱導率較高(是Si的三倍)，散熱更加容易，器件能夠工作在更高的環(huán)境溫度下。理論上，SiC功率器件是能夠在175℃結溫下工作，所以散熱器的體積能夠明顯減小。

3. 導通損耗和開關損耗低：SiC材料具備兩倍于Si的電子飽和速度，這讓SiC 器件具備特別低的導通電阻(1/100 于Si)，導通損耗低；SiC 材料擁有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件降低了幾個數(shù)量級，以此能夠減少功率器件的功率損耗；關斷過程中不會有電流拖尾現(xiàn)象，開關損耗低，能夠在很大程度上提升實際應用的開關頻率(10 倍于Si)。

能夠減小功率模塊的體積：因為器件電流密度高(如Infineon 產品能夠達700A/cm2)，在一樣功率的等級下，全SiC 功率模塊(SiC MOSFETsSiC SBD)的封裝尺寸很明顯小于Si IGBT 功率模塊。