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碳化硅性能

發(fā)布時間:2020-12-31 分享

碳化硅性能

碳化硅SiC二元系統(tǒng)中唯一的二元化合物。它的原子比是1:1。下面就隨著海飛凌的小編倆了解一下碳化硅的特性。

1 穩(wěn)定性較好。

HCl、H2SO4HF中煮沸也不會受到侵蝕。SiC同硅酸在高溫下也不會發(fā)生反應(yīng),所以具備抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC和石灰在525度會開始反應(yīng),在1000度附近反應(yīng)十分明顯,和氧化銅的反應(yīng)在800度就已經(jīng)強(qiáng)烈進(jìn)行。和氧化鐵在1000-1200度,進(jìn)行反應(yīng),到1300度就很顯著崩裂反應(yīng)。和氧化錳反應(yīng)由1360度起到崩裂反應(yīng)。SiC在氯氣當(dāng)中,由600度開始和其反應(yīng),到1200度能夠讓其分解成SiCl4CCl4。熔融堿在熾熱下能夠讓SiC分解。


2 抗氧化性較好

碳化硅在常溫條件下,抗氧化性很好,在合成SiC時所殘留的Si、C和氧化鐵對SiC的氧化程度有很大影響。在普通氧化氣氛下純SiC能夠在高達(dá)1500度的溫度下安全使用,而包含部分雜質(zhì)的碳化硅,在1220度就會發(fā)生氧化。


3 抗熱震性較好。

因?yàn)樘蓟璨蝗刍头纸獬稣魵獾臏囟忍貏e高,同時具備很高的導(dǎo)熱性和低的熱膨脹性,以此具備好的抗熱震性。